金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥”的专利，公开号CN 118825018 A，申请日期为2023年12月。

　　专利摘要显示，本公开涉及穿过源极或漏极接触部之间的电介质墙的导电桥。本文提供了技术来形成半导体装置，杏彩平台官网，该半导体装置包括位于相邻的源极或漏极区域上的顶侧接触部之间的导电桥。导电桥延伸穿过电介质墙，该电介质墙将相邻的源极或漏极区域分隔开。在示例中，第一半导体装置包括围绕从第一源极或漏极区域延伸的第一半导体区域(或沟道区域)或以其它方式处于所述第一半导体区域(或沟道区域)上的第一栅极结构，并且相邻的第二半导体装置包括围绕从第二源极或漏极区域延伸的第二半导体区域或以其它方式处于所述第二半导体区域上的第二栅极结构。导电桥穿过本来分隔开导电接触部的电介质墙将第一源极或漏极区域的顶表面上的第一导电接触部与相邻的第二源极或漏极区域的顶表面上的第二导电接触部连接在一起杏彩体育官网，。

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